1. Alapvető termékinformációk
Termék neve:Ultra-Nagy tisztaságú szén nanocsövek (UHP-CNT)
Termékkategória:Nagy-tisztasági fokozatú több-falú (MWCNT) / egy-falú (SWCNT) CNT-k
Tisztasági fokozat: Industrial Ultra-High Purity (>99,9%-os szén-dioxid tisztaság)
Megjelenés:Mélyfeketétől fémes fényű por, kiváló folyóképesség
Szerkezeti integritás:Magas grafitos rács tökéletesség minimális szerkezeti hibákkal
Különleges tulajdonság:Katalizátormaradék-mentes, szabályozható felületi funkciós csoportokkal
2. Alapvető teljesítményparaméterek
Szén tisztaság:99,9 tömeg% vagy annál nagyobb (kombinált magas hőmérsékletű tisztítással és savas kezeléssel)
Fémszennyeződés tartalom: <100 ppm (Fe, Co, Ni catalyst residues)
Hamutartalom: <0.05 wt% (measured at 950°C in air)
Grafitizálási végzettség:ID/IG arány<0.05 (Raman spectroscopy)
Specifikus felszíni terület (SSA):250-400 m²/g (MWCNT); 600-1000 m²/g (SWCNT)
Térfogatsűrűség:0,08-0,15 g/cm³ (a csapolási sűrűség testreszabható)
Egységes átmérő:Átmérő elosztási CV<15%
3. Elektromos tulajdonságok
Térfogatellenállás:
Belső:10⁻⁴ - 10⁻³ Ω·cm (fém SWCNT-k)
Makroszkópos por:0.05 - 0.5 Ω·cm (tömörítve, érinti az érintkezési ellenállást)
Összetett teljesítményben:
0,5 tömeg%-os terhelésnél: 10² - 10⁴ Ω·cm (polimer mátrix)
2,0 tömeg%-os terhelésnél: 10⁻¹ - 10¹ Ω·cm (perkoláció elérve)
Főbb előny:Az ultra-nagy tisztaságú minimális hordozószóródást biztosít a szennyeződésektől, így az elméleti határokhoz közeli vezetőképességet tesz lehetővé.
Felületi ellenállás:
Thin Films/Coatings: 50 - 500 Ω/sq (at >85% látható fényáteresztés)
Vezető paszták: 10² - 10³ Ω/sq (nyomtatott elektronikához)
Teljesítmény jellemző:A csökkentett felületi állapot sűrűsége és a megnövelt tisztaságból adódó kisebb érintkezési ellenállás jelentősen javítja a felület vezetőképességét.
4. Diszperziós jellemzők
Diszperziós kihívások és megoldások:
Előkezelési technológiák-:
Plazma felszíni aktiválás
Szuperkritikus CO₂-segített diszperzió
Alacsony-hőmérsékletű golyós marás az agglomeráció-mentesítéséhez
A diszperziós rendszer kompatibilitása:
Vizes rendszerek: Stable dispersion >30 nap felületaktív anyagok nélkül
Szerves rendszerek:Diszperziós koncentráció 5 mg/ml-ig NMP-ben, DMF-ben, THF-ben
Polimer olvadékok:40%-kal javult a diszperziós hatékonyság a csavaros extrudálás révén
Funkcionalizálási lehetőségek:
Enyhe oxidációs kezelés (0,5-2,0 at%-nál szabályozható karboxiltartalom)
Aminálás módosítása (-NH₂ sűrűség: 1-3 csoport/nm²)
Szilán kapcsolószer ojtása (javítja az interfész kötést szervetlen mátrixokkal)
5. Fizikai tulajdonságok
Szerkezeti tulajdonságok:
Grafitikus rétegköz: 0,34 ± 0,01 nm (nagy kristályosság)
Average wall number: 3-8 layers (MWCNTs); single-wall integrity >95% (SWCNT-k)
Hiba sűrűsége:<10¹⁰ cm⁻² (TEM statistics)
Termikus tulajdonságok:
Hővezetőképesség: Axiális 3000-3500 W/(m·K); Radiális 15-25 W/(m·K)
Hőtágulási együttható (CTE): Axiális -1,5×10⁻⁶ K⁻¹; Radiális 15×10⁻⁶ K⁻¹
Oxidation onset temperature: 650-700°C in air; stable >1800 fok közömbös atmoszférában
Mechanikai tulajdonságok:
Tensile strength: >100 GPa (SWCNTs); >50 GPa (MWCNT)
Rugalmassági modulus: 1,0-1,2 TPa
Fatigue resistance: >10⁹ hajlítási ciklus (5 μm görbületi sugárral)
6. Alkalmazások és célipar
Élvonalbeli{0}}elektronika:
A kvantumeszközök összekapcsolódnak
Nagy{0}}frekvenciás tranzisztor csatorna anyaga (fT > 100 GHz)
Additív fázis szupravezető kompozitokhoz
Precíziós műszergyártás:
Atomerőmikroszkópos (AFM) szondavégek
Pásztázó alagútmikroszkópos (STM) elektródák
Nagy pontosságú{0}}érzékelős nyúlásmérők
Frontier energetikai alkalmazások:
3D-s vezetőképes hálózat felépítése szilárdtest-akkumulátorokhoz
Vezetőképes bevonatok üzemanyagcellás bipoláris lemezekhez
Interfész anyagok termoelektromos átalakító eszközökhöz
Orvosbiológiai eszközök:
Beültethető orvosi elektródák
Neurális jelrögzítő mikrotömbök
Erősen biokompatibilis szövetmérnöki állványok
Repülési kritikus alkatrészek:
Műholdvezető hőszabályozó bevonatok
Űrjárművek elektromágneses árnyékoló kompozitjai
Megerősítési fázis könnyű,{0}}nagy szilárdságú szerkezeti alkatrészekhez
7. Elvek és tisztítási technológiai útvonalak
Több-lépcsős tisztítási folyamat:
Gőz{0}}fázisú tisztítási szakasz:
Gőz-segített katalitikus oxidáció (az amorf szén szelektív eltávolítása)
Magas-hőmérsékletű klórkezelés (illékony fém-kloridokat képez)
Hidrogén redukció a hibák gyógyulásához
Folyékony{0}}fázisú tisztítási szakasz:
Sűrűséggradiens centrifugálás (sűrűségkülönbségek alapján)
Elektroforetikus elválasztás (felületi töltéskülönbségek alapján)
Méretkizárásos kromatográfia (hidrodinamikai sugár alapján)
Fizikai elválasztási technológiák:
Ultracentrifugációs térelválasztás (200 000 g, kiralitásos elválasztás)
Dielektroforetikus elválasztás (különbségek a váltakozó áramú mező dielektromos válaszában)
Field{0}}flow frakcionálás (az áramlás és a merőleges mezők szinergiája)
A tisztaság jellemzésének technikái:
Hőmérsékletre{0}}programozott oxidáció (TPO) az amorf szén mennyiségi meghatározásához
Induktív csatolású plazma tömegspektrometria (ICP{0}}MS) fémnyomok detektálásához
Elektronenergia veszteség spektroszkópia (EELS) a helyi kémiai összetétel elemzéséhez
8. Minőségellenőrző rendszer
Nyersanyag nyomon követhetőség ellenőrzése:
Fémkatalizátor prekurzor tisztasága: 99,999% (5N minőségű)
Szénforrás gáz tisztasága: 99,9999% (6N fokozat)
A reaktor anyaga: nagy-tisztaságú kvarc vagy zafír bélés
Folyamat{0}}figyelés:
Online lézer-indukált lebontási spektroszkópia (LIBS) a fémtartalom valós{1}}figyeléséhez
In-situ Raman-spektroszkópia a grafitizációs fok monitorozására
Tömegspektrometria a kipufogógáz-összetétel valós idejű -észleléséhez
Késztermék tesztelési protokoll:
Tétel konzisztencia vizsgálata:Statisztikai folyamatvezérlés tételenként 10 véletlenszerű mintán
A végső tisztaság ellenőrzése:Neutronaktivációs elemzés (NAA) a ppb{0}}szintű szennyeződések kimutatásához
Strukturális integritás értékelése:Nagy{0}}felbontású TEM mély tanulási képelemzéssel kombinálva
Tanúsítványok és szabványoknak való megfelelés:
Megfelel a SEMI (Semiconductor Equipment and Materials Institute) szabványoknak
Megfelel az ASTM E2857-11 nanoanyagok jellemzésére vonatkozó útmutatójának
Az ISO/TS 80004-13 nanotechnológiai terminológia szerint tanúsított
9. Reprezentatív tesztadatok
Elektromos teljesítmény ellenőrzése:
Mező{0}}hatás mobilitás: SWCNT vékony film, 150 000 cm²/(V·s) (szobahőmérséklet)
Current-carrying capacity: Single MWCNT, >2×10⁹ A/cm² (vákuum környezet)
Érintkező ellenállás: Au elektróda-CNT érintkező,<1 kΩ·μm
Hőteljesítmény mérések:
Hővezetőképesség mérése: Függesztett mikro{0}}híd módszer, egyetlen SWCNT, 3500±150 W/(m·K)
Hőstabilitás: TGA-DSC kombinált, 0,5%-os súlycsökkenési hőmérséklet: 698 fok (levegő)
Kompozit anyagok teljesítménye:
Epoxigyanta / 0,3 tömeg% UHP-CNT:
Térfogat-ellenállás: 4,2×10³ Ω·cm
Hővezetőképesség: 1,85 W/(m·K) (450%-os növekedés)
Üvegesedési hőmérséklet (Tg): 28 fokkal növelve
10. Csomagolási és tárolási előírások
Tiszta csomagolási rendszer:
Elsődleges csomagolás:Több-rétegű kompozit alumínium zacskó (külső PET / középső Al fólia / belső PE)
Másodlagos tároló:Rozsdamentes acél vákuum-zárt tartály (10⁻⁶ Pa vákuum érhető el)
Harmadlagos védelem:An-statikus, ütésálló-szállítási tok (MIL-STD-810G-kompatibilis)
Különleges csomagolási konfigurációk:
Inertgáz elleni védelem:Argon{0}}töltött, O₂ tartalmú<1 ppm, H₂O content <0.1 ppm
Fény{0}}árnyékoló kialakítás:Borostyánszínű-csomagolóanyag, UV-áteresztő képesség<0.1%
Páratartalom jelzés:Beépített{0}}elektronikus páratartalom-érzékelő adatnaplózással
Műszaki adatok és címkézés:
Szabványos méretek:1g, 5g, 10g (K+F fokozat); 50g, 100g, 500g (gyártási fokozat)
Információs címkézés:QR-kódos nyomonkövetési rendszer, beleértve a tételszámot, tisztasági tanúsítványt, tárolási feltételeket
Különleges jelölések:Radioaktivitás-szűrő jel (biztosítja a véletlen szennyeződést)
Tárolás és szállítás:
Hosszú távú -tárolás:-20 fokos vákuum alatt, 5 év eltarthatóság
Használati javaslat:Felbontás után a kesztyűtartóban kell kezelni (H2O/O2<0.1 ppm)
Szállítási feltételek:Hideg-láncos szállítás (2-8 fok) valós idejű hőmérséklet-figyeléssel
11. A vállalat műszaki képességei
K+F platform:
Ultra{0}}tiszta laboratórium:100. osztályú tisztatér, 2000 m² terület
Analitikai tesztelési központ:Aberráció{0}}korrigált TEM, μ-XRF, TOF-SIMS
Pilot{0}}léptékű platform:Teljesen automatizált folyamatos tisztítósor
Szabadalmi és technológiai portfólió:
Alapszabadalmak: 32 (ebből 18 PCT szabadalom)
Szabadalmaztatott know-how: 15 speciális tisztítókészítmény-készlet különböző alkalmazásokhoz
Gyártási képesség:
Egyedi felszerelés:Speciális tisztítóreaktorokat fejlesztettek{0}}a berendezésgyártókkal együtt
Automatizálási szint: Fully automated process control, product consistency >98%
Minőségbiztosítási rendszer:
Minőségi nyomon követhetőség:Teljes digitális nyomon követhetőség a nyersanyagoktól a késztermékig
Nemzetközi tanúsítványok:ISO 9001:2015, ISO 14001, ISO 45001
Műszaki szolgáltatási képesség:
Alkalmazásfejlesztő csapat:60% Ph.D. birtokosok, átlagosan 10 éves iparági tapasztalattal
Ügyfélszolgálat:Teljes körű szolgáltatást nyújt: tisztaságellenőrzés, alkalmazás tesztelés, folyamatoptimalizálás
Közös K+F:Alkalmazáslaboratóriumok létrehozása az ügyfelekkel együtt-a testreszabott megoldásfejlesztés érdekében
Népszerű tags: ultra-nagy tisztaságú szén nanocsövek, Kína ultra-nagy tisztaságú szén nanocsövek gyártók, beszállítók, gyár, Szén nanocsövek, nanoanyagok szén nanocsövek, Egyfalú nanocsövek, egyfalú szén nanocsövek, Egyfalú CNT -k, SWCNT
